SIA419DJ-T1-GE3

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SIA419DJ-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIA419DJ-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIA419DJ-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:SIA419DJ
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SIA419DJ-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 850mV @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6
Autres noms SIA419DJ-T1-GE3TR
SIA419DJT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SIA419DJ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIA419DJ-T1-GE3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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