SIA511DJ-T1-GE3

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SIA511DJ-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIA511DJ-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIA511DJ-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIA511DJ
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SIA511DJ-T1-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Puissance - Max 6.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual
Autres noms SIA511DJ-T1-GE3TR
SIA511DJT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SIA511DJ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIA511DJ-T1-GE3TR

SIA511DJT1GE3

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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