SIA533EDJ-T1-GE3

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SIA533EDJ-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIA533EDJ
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Puissance - Max 7.8W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 Dual
Autres noms SIA533EDJ-T1-GE3TR
SIA533EDJT1GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIA533EDJ-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A

Autres

Autres noms SIA533EDJ-T1-GE3TR

SIA533EDJT1GE3
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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