SIE832DF-T1-E3

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SIE832DF-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIE832DF-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SIE832DF-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIE832DF
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 10-PolarPAK® (S)
Séries TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max) 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 10-PolarPAK® (S)
Autres noms SIE832DF-T1-E3TR
SIE832DFT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SIE832DF-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 40V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Tension drain-source (Vdss) 40V
La description MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIE832DF-T1-E3TR

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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