EXSHINE Modèle de produit: | EX-SIE836DF-T1-GE3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SIE836DF-T1-GE3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SIE836DF |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | 10-PolarPAK® (SH) |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 4.1A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 10-PolarPAK® (SH) |
Autres noms | SIE836DF-T1-GE3TR SIE836DFT1GE3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | SIE836DF-T1-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 200V 18.3A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (SH) |
Tension drain-source (Vdss) | 200V |
La description | MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18.3A (Tc) |
Emballage normal | 3,000 |
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Autres noms | SIE836DF-T1-GE3TR SIE836DFT1GE3 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.