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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPI086N10N3GXKSA1
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IPI086N10N3GXKSA1
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPI086N10N3GXKSA1 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
| Brève description: | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | IPx08xN10N3 G |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IPI086N10N3GXKSA1
En stock: 88281000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 88281000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | PG-TO262-3 |
| Séries | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms | IPI086N10N3 G IPI086N10N3 G-ND IPI086N10N3G SP000485982 SP000683070 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 14 Weeks |
| Référence fabricant | IPI086N10N3GXKSA1 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| La description | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Autres
| Autres noms | IPI086N10N3 G IPI086N10N3 G-ND IPI086N10N3G SP000485982 SP000683070 |
|---|---|
| Emballage normal | 500 |
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