IPI09N03LA

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IPI09N03LA

EXSHINE Modèle de produit:EX-IPI09N03LA
Fabricant Modèle de produit:IPI09N03LA
Fabricant / Marque:Infineon Technologies
Brève description:MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IPI,IPP09N03LA
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IPI09N03LA
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PG-TO262-3
Séries OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms IPI09N03LAX
SP000014032
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IPI09N03LA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1642pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 25V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Tension drain-source (Vdss) 25V
La description MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)

Autres

Autres noms IPI09N03LAX

SP000014032
Emballage normal 500

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