EXSHINE Modèle de produit: | EX-IPI100N06S3-03 |
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Fabricant Modèle de produit: | IPI100N06S3-03 |
Fabricant / Marque: | Infineon Technologies |
Brève description: | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | IPB(I,P)100N06S3-03 |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PG-TO262-3 |
Séries | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms | IPI100N06S303X IPI100N06S303XK SP000087992 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | IPI100N06S3-03 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 21620pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 55V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Tension drain-source (Vdss) | 55V |
La description | MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Autres noms | IPI100N06S303X IPI100N06S303XK SP000087992 |
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Emballage normal | 500 |
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