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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > RGTH00TS65GC11
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RGTH00TS65GC11
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RGTH00TS65GC11 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RGTH00TS65GC11 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | RGTH00TS65 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RGTH00TS65GC11
En stock: 83520 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Condition de test | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 39ns/143ns |
| énergie de commutation | - |
| Package composant fournisseur | TO-247N |
| Séries | - |
| Puissance - Max | 277W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 15 Weeks |
| Référence fabricant | RGTH00TS65GC11 |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench Field Stop |
| gate charge | 94nC |
| Description élargie | IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N |
| La description | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 200A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 85A |
Autres
| Emballage normal | 30 |
|---|
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