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RGTH60TS65DGC11

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RGTH60TS65DGC11

EXSHINE Modèle de produit:EX-RGTH60TS65DGC11
Fabricant Modèle de produit:RGTH60TS65DGC11
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:IGBT 650V 58A 194W TO-247N
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RGTH60TS65D
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RGTH60TS65DGC11
En stock: 71440 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/105ns
énergie de commutation -
Package composant fournisseur TO-247N
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 58ns
Puissance - Max 194W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant RGTH60TS65DGC11
Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 58nC
Description élargie IGBT Trench Field Stop 650V 58A 194W Through Hole TO-247N
La description IGBT 650V 58A 194W TO-247N
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 120A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 58A

Autres

Emballage normal 30

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