RGTH50TS65GC11

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RGTH50TS65GC11

EXSHINE Modèle de produit:EX-RGTH50TS65GC11
Fabricant Modèle de produit:RGTH50TS65GC11
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:IGBT 650V 50A 174W TO-247N
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RGTH50TS65
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RGTH50TS65GC11
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Condition de test 400V, 25A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/94ns
énergie de commutation -
Package composant fournisseur TO-247N
Séries -
Puissance - Max 174W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 15 Weeks
Référence fabricant RGTH50TS65GC11
Type d'entrée Standard
type de IGBT Trench Field Stop
gate charge 49nC
Description élargie IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N
La description IGBT 650V 50A 174W TO-247N
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 100A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50A

Autres

Emballage normal 30

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