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QJD1210010

EXSHINE Modèle de produit:EX-QJD1210010
Fabricant Modèle de produit:QJD1210010
Fabricant / Marque:Powerex, Inc.
Brève description:MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:Full SiC & Hybride SiC IGBTs BriefQJD1210010 Preliminary Datasheet
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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QJD1210010
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Package composant fournisseur Module
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Puissance - Max 1080W
Emballage Bulk
Package / Boîte Module
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant QJD1210010
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
La description MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A

Autres

Emballage normal 1

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