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CSD23201W10
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-CSD23201W10 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | CSD23201W10 |
| Fabricant / Marque: | Texas Instruments |
| Brève description: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | CSD23201W10 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
CSD23201W10
En stock: 63655 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 63655 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
|---|---|
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 4-DSBGA (1x1) |
| Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 4-UFBGA, DSBGA |
| Autres noms | 296-24258-2 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | CSD23201W10 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| La description | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | 296-24258-2 |
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