CSD23203WT

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CSD23203WT

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD23203WT
Fabricant Modèle de produit:CSD23203WT
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD23203WT
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CSD23203WT
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Vgs (Max) -6V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 6-DSBGA
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-UFBGA, DSBGA
Autres noms 296-38615-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Référence fabricant CSD23203WT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 914pF @ 4V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 8V
La description MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)

Autres

Emballage normal 250
Autres noms 296-38615-2

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