CSD23202W10

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CSD23202W10

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD23202W10
Fabricant Modèle de produit:CSD23202W10
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD23202W10
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CSD23202W10
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Vgs (Max) -6V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 4-DSBGA (1x1)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 4-UFBGA, DSBGA
Autres noms 296-40000-2
CSD23202W10-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant CSD23202W10
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 512pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 12V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms 296-40000-2

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