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CSD85312Q3E
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-CSD85312Q3E |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | CSD85312Q3E |
| Fabricant / Marque: | Texas Instruments |
| Brève description: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | CSD85312Q3E |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
CSD85312Q3E
En stock: 12204000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 12204000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Séries | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| Puissance - Max | 2.5W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-PowerVDFN |
| Autres noms | CSD85312Q3E-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks |
| Référence fabricant | CSD85312Q3E |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Fonction FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| La description | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 39A |
Autres
| Autres noms | CSD85312Q3E-ND |
|---|---|
| Emballage normal | 2,500 |
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EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
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