CSD87312Q3E

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CSD87312Q3E

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD87312Q3E
Fabricant Modèle de produit:CSD87312Q3E
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD87312Q3E
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 7A , 8V
Puissance - Max 2.5W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms 296-35526-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 26 Weeks
Référence fabricant CSD87312Q3E
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms 296-35526-2

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