CSD86330Q3D

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CSD86330Q3D

EXSHINE Modèle de produit:EX-CSD86330Q3D
Fabricant Modèle de produit:CSD86330Q3D
Fabricant / Marque:Texas Instruments
Brève description:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
État sans plomb / État RoHS:Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:CSD86330Q3D
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Package composant fournisseur 8-LSON (5x6)
Séries NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Puissance - Max 6W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerLDFN
Autres noms 296-28216-2
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 25 Weeks
Référence fabricant CSD86330Q3D
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 12.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Tension drain-source (Vdss) 25V
La description MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms 296-28216-2

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