SI5855CDC-T1-E3

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SI5855CDC-T1-E3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5855CDC-T1-E3
Fabricant Modèle de produit:SI5855CDC-T1-E3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5855CDC
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SI5855CDC-T1-E3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 1206-8 ChipFET™
Séries LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead
Autres noms SI5855CDC-T1-E3-ND
SI5855CDC-T1-E3TR
SI5855CDCT1E3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 24 Weeks
Référence fabricant SI5855CDC-T1-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
type de FET P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)
Description élargie P-Channel 20V 3.7A (Tc) 1.3W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Tc)

Autres

Autres noms SI5855CDC-T1-E3-ND

SI5855CDC-T1-E3TR

SI5855CDCT1E3
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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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