EXSHINE Modèle de produit: | EX-SI5857DU-T1-GE3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SI5857DU-T1-GE3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SI5857DU |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | PowerPAK® ChipFet Dual |
Séries | LITTLE FOOT® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max) | 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant | SI5857DU-T1-GE3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
type de FET | P-Channel |
Fonction FET | Schottky Diode (Isolated) |
Description élargie | P-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 10.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
Tension drain-source (Vdss) | 20V |
La description | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Emballage normal | 3,000 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.