SI5858DU-T1-GE3

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SI5858DU-T1-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SI5858DU-T1-GE3
Fabricant Modèle de produit:SI5858DU-T1-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SI5858DU
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerPAK® ChipFet Dual
Séries LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte PowerPAK® ChipFET™ Dual
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant SI5858DU-T1-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
type de FET N-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)
Description élargie N-Channel 20V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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