EXSHINE Modèle de produit: | EX-SI5902BDC-T1-E3 |
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Fabricant Modèle de produit: | SI5902BDC-T1-E3 |
Fabricant / Marque: | Vishay / Siliconix |
Brève description: | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | SI5902BDC |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
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Package composant fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Séries | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
Puissance - Max | 3.12W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
Autres noms | SI5902BDC-T1-E3-ND SI5902BDC-T1-E3TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
Référence fabricant | SI5902BDC-T1-E3 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Fonction FET | Logic Level Gate |
Description élargie | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
La description | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Autres noms | SI5902BDC-T1-E3-ND SI5902BDC-T1-E3TR |
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Emballage normal | 3,000 |
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- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.