SIHB35N60E-GE3

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SIHB35N60E-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHB35N60E-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHB35N60E-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHB35N60E-GE3
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SIHB35N60E-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94 mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms SiHB35N60E-GE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant SIHB35N60E-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2760pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 650V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Tension drain-source (Vdss) 650V
La description MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)

Autres

Autres noms SiHB35N60E-GE3
Emballage normal 1,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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