SIHD3N50D-GE3

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SIHD3N50D-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHD3N50D-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHD3N50D-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHD3N50D
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SIHD3N50D-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-252AA
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 14 Weeks
Référence fabricant SIHD3N50D-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms SIHD3N50D-GE3CT

SIHD3N50D-GE3CT-ND

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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