SIHD12N50E-GE3

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SIHD12N50E-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHD12N50E-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHD12N50E-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CHAN 500V DPAK
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHD12N50E
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SIHD12N50E-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Séries E
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SIHD12N50E-GE3CT
SIHD12N50E-GE3CT-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 19 Weeks
Référence fabricant SIHD12N50E-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 550V
La description MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.5A (Tc)

Autres

Autres noms SIHD12N50E-GE3CT

SIHD12N50E-GE3CT-ND
Emballage normal 1

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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