SIHD6N65E-GE3

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SIHD6N65E-GE3

EXSHINE Modèle de produit:EX-SIHD6N65E-GE3
Fabricant Modèle de produit:SIHD6N65E-GE3
Fabricant / Marque:Vishay / Siliconix
Brève description:MOSFET N-CH 650V 7A TO252
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SIHD6N65E-GE3
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SIHD6N65E-GE3
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-PAK (TO-252AA)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max) 78W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms SIHD6N65E-GE3CT
SIHD6N65E-GE3CT-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 19 Weeks
Référence fabricant SIHD6N65E-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 650V
La description MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)

Autres

Autres noms SIHD6N65E-GE3CT

SIHD6N65E-GE3CT-ND
Emballage normal 3,000

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Distributeur de Vishay Siliconix

- Le portefeuille de produits de Vishay comprend une collection inégalée de semi-conducteurs discrets (diodes, MOSFET et optoélectronique) et de composants passifs (résistances, inductances et condensateurs). Ces composants sont utilisés dans pratiquement tous les types d'appareils et équipements électroniques des marchés de l'industrie, de l'informatique, de l'automobile, de la consommation, des télécommunications, de l'armée, de l'aérospatiale et de la médecine. Vishay est fier d'être un partenaire majeur de exshinetech.com.

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